SI3850ADV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3850ADV-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道，共漏 20V 1.4A，960mA 1.08W 表面贴装型 6-TSOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP

SI3850ADV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.40 A

额定功率Max 1.08 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3850ADV-T1-E3

型号： SI3850ADV-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP

替代型号SI3850ADV-T1-E3