SUM36N20-54P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUM36N20-54P-E3概述

MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK

表面贴装型 N 通道 36A（Tc） 3.12W（Ta），166W（Tc） TO-263（D2Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 200V 36A TO263

SUM36N20-54P-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 3.12W Ta, 166W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

输入电容Ciss 3100pF @25VVds

耗散功率Max 3.12W Ta, 166W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUM36N20-54P-E3

型号： SUM36N20-54P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK

替代型号SUM36N20-54P-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUM36N20-54P-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SUM65N20-30-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SUM36N20-54P-E3和SUM65N20-30-E3的区别

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Vishay Siliconix

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