IXFH16N50P

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IXFH16N50P概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247


IXFH16N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 16.0 A

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

输入电容 2.25 nF

栅电荷 43.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 2250pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH16N50P
型号: IXFH16N50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
替代型号IXFH16N50P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFH16N50P

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

STW20NK50Z

意法半导体

功能相似

IXFH16N50P和STW20NK50Z的区别

STD18N55M5

意法半导体

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STW12NK90Z

意法半导体

功能相似

IXFH16N50P和STW12NK90Z的区别

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