IXTH02N250

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IXTH02N250概述

N沟道,2500V,200mA,450Ω@10V

通孔 N 通道 200mA(Tc) 83W(Tc) TO-247(IXTH)


得捷:
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247


立创商城:
N沟道 2.5kV 200mA


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247


IXTH02N250中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 83W Tc

漏源极电压Vds 2500 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 116pF @25VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH02N250
型号: IXTH02N250
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道,2500V,200mA,450Ω@10V
替代型号IXTH02N250
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