IXTN170P10P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTN170P10P概述

P-沟道 100 V 12 mOhm 底座安装功率 Mosfet - SOT-227

底座安装 P 通道 170A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B

得捷:
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 170A 4-Pin SOT-227B

TME:
Module; single transistor; Uds: -100V; Id: -170A; SOT227B; 890W

IXTN170P10P中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 890000 mW

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 170A

输入电容Ciss 12600pF @25VVds

额定功率Max 890 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN170P10P

型号： IXTN170P10P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：P-沟道 100 V 12 mOhm 底座安装功率 Mosfet - SOT-227