SI4800BDY-T1-GE3

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SI4800BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 25 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 12 ns

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4800BDY-T1-GE3
型号: SI4800BDY-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8Pin SOIC N T/R

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