IXTC180N085T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTC180N085T概述

ISOPLUS N-CH 85V 110A

N-Channel 85V 110A Tc 150W Tc Through Hole ISOPLUS220™

得捷:
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 85V 110A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220

IXTC180N085T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 85 V

连续漏极电流Ids 110A

输入电容Ciss 8800pF @25VVds

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-220

外形尺寸

封装 ISOPLUS-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXTC180N085T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：ISOPLUS N-CH 85V 110A