IS42S16320F-6BLI

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IS42S16320F-6BLI概述

512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx13mm, RoHS, IT

SDRAM 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 167 MHz 5.4 ns 54-TW-BGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA


立创商城:
IS42S16320F 6BLI


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TW-BGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TW-BGA


IS42S16320F-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S16320F-6BLI
型号: IS42S16320F-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx13mm, RoHS, IT
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IS42S16320F-6BLI和IS42S16320B-6BLI的区别

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