IXTN32P60P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTN32P60P概述

SOT-227B P-CH 600V 32A

底座安装 P 通道 32A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B

得捷:
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

TME:
Module; single transistor; Uds: -600V; Id: -32A; SOT227B; 890W

IXTN32P60P中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 890W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 32A

输入电容Ciss 11100pF @25VVds

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXTN32P60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B P-CH 600V 32A