IXFE39N90参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFE39N90概述

ISOPLUS N-CH 900V 34A

N-Channel 900V 34A Tc 580W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B

贸泽:
MOSFET 34 Amps 900V 0.22 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 34A 4-Pin ISOPLUS 227

IXFE39N90中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 220 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 580 W

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 34A

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 13400pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 580W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 ISOPLUS-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.65 mm

封装 ISOPLUS-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFE39N90

型号： IXFE39N90

制造商： IXYS Semiconductor

描述：ISOPLUS N-CH 900V 34A

替代型号IXFE39N90