SSTJ212-E3

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SSTJ212-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

连续漏极电流Ids 15.0 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 TO-236

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SSTJ212-E3
型号: SSTJ212-E3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SSTJ212-E3  晶体管, 场效应管, JFET, N-通道, 15MA, TO-236AB
替代型号SSTJ212-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SSTJ212-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

PMBFJ310

恩智浦

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