SH8K3TB1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SH8K3TB1概述

4V驱动NchNch MOSFET 4V Drive NchNch MOSFET

MOSFET - 阵列

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8

安富利:
MOSFET; NCH+NCH 30V 7A SOP8

DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 30V 7A SOP8

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8

SH8K3TB1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 600pF @10VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SH8K3TB1

型号： SH8K3TB1

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：4V驱动NchNch MOSFET 4V Drive NchNch MOSFET