SGP20N60HS

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SGP20N60HS概述

高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation

IGBT NPT 600 V 36 A 178 W Through Hole PG-TO220-3-1


得捷:
IGBT, 36A, 600V, N-CHANNEL


贸泽:
IGBT Transistors HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
High Speed IGBT in NPT-technology


SGP20N60HS中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 178 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SGP20N60HS
型号: SGP20N60HS
制造商: Infineon 英飞凌
描述:高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation

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