SI4974DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4974DY-T1-E3概述

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6A，4.4A 1.1W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

SI4974DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4974DY-T1-E3

型号： SI4974DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

替代型号SI4974DY-T1-E3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI4974DY-T1-E3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

NTUD3170NZT5G

安森美

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FDC655BN

飞兆/仙童

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