SI7530DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7530DP-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 3A，3.2A 1.4W，1.5W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双

得捷:
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC

SI7530DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 60 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7530DP-T1-E3

型号： SI7530DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

替代型号SI7530DP-T1-E3