SIE804DF-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIE804DF-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK

表面贴装型 N 通道 150 V 37A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK®（LH）

得捷:
MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK

贸泽:
MOSFET 150V 37A 125W 38mohm @ 10V

SIE804DF-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 5.2W Ta, 125W Tc

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 37.0 A

输入电容Ciss 3000pF @50VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE804DF-T1-GE3

型号： SIE804DF-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK