FDA62N28

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FDA62N28中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 51.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 500W Tc

漏源极电压Vds 280 V

漏源击穿电压 280 V

连续漏极电流Ids 62.0 A

输入电容Ciss 4630pF @25VVds

额定功率Max 500 W

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDA62N28
型号: FDA62N28
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:280V N沟道MOSFET 280V N-Channel MOSFET

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