TO-220AB P-CH 100V 26A
通孔 P 通道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
得捷:
MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB
贸泽:
MOSFET MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
Win Source:
MOSFET P-CH 100V 26A TO-220
通道数 1
漏源极电阻 90 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 150 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 26A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 3820pF @25VVds
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTP26P10T IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTY26P10T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP26P10T和IXTY26P10T的区别 |
IXTA26P10T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP26P10T和IXTA26P10T的区别 |