IPP47N10S-33

IPP47N10S-33图片1
IPP47N10S-33图片2
IPP47N10S-33图片3
IPP47N10S-33中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 47A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

额定功率Max 175 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.25 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 NRND

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP47N10S-33
型号: IPP47N10S-33
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS功率三极管特性N沟道增强模式 SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台