IXXR100N60B3H1

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IXXR100N60B3H1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT PT 通孔 ISOPLUS247™


得捷:
IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXXR100N60B3H1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 400000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 140 ns

额定功率Max 400 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXXR100N60B3H1
型号: IXXR100N60B3H1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
替代型号IXXR100N60B3H1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXXR100N60B3H1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXSR40N60BD1

IXYS Semiconductor

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IXXR100N60B3H1和IXSR40N60BD1的区别

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